Transistor 2N5551

$1.72

Características: Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general IC: 600 mA max. PD: 625 mW max. VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max. hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V) fT: 100 MHz mínimo VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC…

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EAN: 7503040256534
SKU: TRAN5551
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Descripción

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementarios: 2N5400, 2N5401

Información adicional

Peso 0.1 kg
Dimensiones 0.5 × 10 × 7 cm

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